Electron beam-induced deposition

La croissance assistée par faisceau d'électrons (en anglais Electron beam-induced deposition (EBID)) est un procédé de décomposition, induite par un faisceau d'électrons, de molécules gazeuses adsorbées sur un substrat. La résultante en est un dépôt solide constitué des fragments non volatils de la molécule de précurseur. Le faisceau d'électrons, s'il provient d'un microscope électronique à balayage ou à transmission (scanning electron microscope) peut permettre la réalisation de structures à haute résolution spatiale (diamètre inférieur au nanomètre), ou des structures tridimensionnelles.

Procédé

Mécanisme de croissance

Résolution spatiale

Matériaux et précurseurs

Avantages

Inconvénients

Croissance induite par faisceau d'ions

Formes

Voir aussi

Bibliographie

  • (en) Nanofabrication: Fundamentals and Applications, Ampere A. Tseng, World Scientific, (ISBN 981-270-076-5 et 978-981-270-076-6).
  • (en) K. Molhave (thèse de doctorat), Tools for in-situ manipulations and characterization of nanostructures, université technique du Danemark, .

Articles connexes

Liens externes

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