3 µm

3 µm (ou encore 3 000 nm) est l'évolution du procédé de fabrication des semi-conducteurs précédent à 10 µm. Cette technologie des semi-conducteurs a été atteinte en 1975 par les sociétés de semi-conducteurs, comme Intel.

Le successeur de ce procédé utilise une largeur de canal de 1.5 µm.

Produits fabriqués avec un procédé à 3 µm

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